El Amanecer De La Era Hbm4: Micron Se Lanza A Dominar La Frontera De La Memoria Para Ia

10 de junio de 2024 – Micron Technology anunció oficialmente que ha entregado muestras de ingeniería de su memoria HBM4 (apilada en 12 capas) con una capacidad de 36GB a varios clientes clave. Este hito marca una nueva etapa en sus productos de memoria de alto ancho de banda (HBM), proporcionando un mayor soporte de computación para la próxima generación de plataformas de aceleración de IA.

La nueva memoria HBM4 de Micron se basa en su avanzado proceso de fabricación 1β (1-beta) y en dies DRAM de 24Gb, utilizando un encapsulado de 12 capas con una interfaz de 2048 bits. Ofrece un ancho de banda por pila superior a 2.0 TB/s, lo que representa una mejora de más del 60% en rendimiento y un 20% en eficiencia energética respecto a la generación anterior, la HBM3E. Además, incorpora funciones avanzadas de autoprueba (MBIST), optimizando la interacción de datos con los xPU lógicos y mejorando significativamente la velocidad de inferencia de IA y el control de consumo energético.

Micron destaca que el HBM4 está diseñado para integrarse sin problemas en los sistemas de IA de próxima generación, especialmente en modelos de lenguaje extenso (LLM) y cargas de trabajo de inferencia de alta densidad en centros de datos. La compañía planea ampliar su producción en 2026, sincronizándose con el lanzamiento masivo de plataformas de IA de sus clientes, impulsando así la transformación digital en sectores como la medicina, las finanzas y el transporte.

El mercado de HBM4 es altamente competitivo: SK Hynix ya ha entregado muestras a NVIDIA y busca iniciar su producción masiva este mismo año. Samsung, por su parte, avanza en el desarrollo de HBM4 con su tecnología DRAM 1c, con validación prevista para el tercer trimestre de 2024. Aunque Micron ha enviado muestras un poco más tarde, ha superado a Samsung y está cerrando la brecha con los líderes del sector.

Raj Narasimhan, vicepresidente senior de la división de memoria en la nube de Micron, afirmó: "El rendimiento, el mayor ancho de banda y la eficiencia energética líder del HBM4 reflejan nuestra innovación continua en tecnología de memoria. Seguiremos apoyando el crecimiento acelerado de nuestros clientes en la era de la IA generativa con nuestra sólida cartera de productos de memoria y almacenamiento para IA."

El lanzamiento del HBM4 no solo consolida la posición de Micron en el campo de la memoria para IA, sino que también anuncia una nueva era en la industria de semiconductores, orientada hacia una integración 3D de mayor densidad y menor consumo. A medida que los modelos de IA aumentan en complejidad, las soluciones de almacenamiento rápidas y eficientes se vuelven críticas para superar cuellos de botella. El HBM4, con sus mejoras en ancho de banda, eficiencia y封装 (ej. CoWoS de TSMC, I-Cube de Samsung), sustratos PCB de alto rendimiento y equipos de prueba.

En cuanto a la competencia, aunque SK Hynix y Samsung mantienen ventajas en nodos de proceso y tiempo de comercialización, Micron está reduciendo distancias mediante innovación técnica y colaboración con clientes. Para 2026, cuando el HBM4 entre en producción masiva, el mercado de memoria para IA podría experimentar un reajuste significativo.

En la era de la computación impulsada por IA, la memoria de alto ancho de banda se erige como el motor clave para saltos en rendimiento, y el HBM4 representa un hito crucial en esta carrera tecnológica.