¡Fortalecimiento Bidireccional! Micron Adquiere la Fábrica de Obleas de PSMC en Taiwán y Remodela el Panorama de la Memoria con Licencias de Procesos Avanzados y Cooperación en Empaquetado

Según el último informe de investigación en profundidad de TrendForce sobre la industria DRAM, el gigante global de la memoria Micron (Micron Technology) ha divulgado oficialmente el plan de adquirir por 1.800 millones de dólares estadounidenses en efectivo las instalaciones dedicadas de PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) ubicadas en Tongluo, condado de Miaoli, Taiwán (el activo de la transacción no incluye máquinas y equipos relacionados con la producción). Ambas partes han alcanzado simultáneamente un acuerdo de cooperación estratégica a largo plazo, centrado en una vinculación profunda con el negocio de subcontratación de empaquetado avanzado de DRAM. Esta colaboración intersectorial no solo permitirá a Micron complementar rápidamente la capacidad de producción de DRAM en procesos avanzados, sino que también ayudará a PSMC a actualizar la escala de suministro y el nivel técnico de DRAM en procesos maduros. TrendForce predice claramente que las expectativas generales de oferta global de la industria DRAM en 2027 experimentarán una revisión sustancial al alza.

Revisando el contexto industrial de esta adquisición, desde la segunda mitad de 2025, la industria global de semiconductores ha presentado una explosión estructural de la demanda: la iteración tecnológica en el campo de ASIC (Circuitos Integrados de Aplicación Específica) y la implementación a gran escala de escenarios de inferencia de IA han generado una fuerte demanda de HBM3e (Memoria de Ancho de Banda Alto versión 3e) y DDR5 (Memoria de Doble Tasa de Datos de quinta generación), respectivamente. El crecimiento de estos dos segmentos del mercado ha impulsado directamente una mejora significativa en la rentabilidad general de la industria DRAM, lo que también se ha convertido en el motor central de la estrategia acelerada de expansión de capacidad de Micron. En cuanto a los detalles del activo adquirido, la fábrica de Tongluo comprada por Micron incluye el terreno completo, los edificios principales e instalaciones de salas limpias de alta especificación, eliminando la necesidad de iniciar proyectos de infraestructura desde cero y reduciendo sustancialmente el ciclo de aumento de capacidad. Según lo planeado, Micron trasladará de manera escalonada entre 2026 y 2027 equipos de producción maduros existentes y recién encargados a estas instalaciones, enfocándose en el despliegue de equipos centrales de proceso front-end avanzado para DRAM. Se espera que la fase de producción en masa comience oficialmente en 2027. Según los cálculos de TrendForce, la capacidad liberada por el proyecto de la Fase 1 de la fábrica de Tongluo en la segunda mitad de 2027 superará el 10% de la capacidad total global de DRAM de Micron en el cuarto trimestre de 2026, convirtiéndose en un incremento clave para abordar la brecha de demanda de memoria de alto rendimiento.

Desde la perspectiva de la estrategia global de despliegue de capacidad de Micron, esta adquisición no es una acción aislada, sino una parte importante de su expansión acelerada. Los datos muestran que en el tercer trimestre de 2025, la participación de ingresos de Micron en la industria global de DRAM alcanzó el 25.7%, ubicándola en el tercer lugar del sector, aunque aún con cierta distancia respecto a los líderes. Desde que el auge de la industria de IA comenzó plenamente en 2024, la demanda del mercado de productos DRAM de procesos avanzados como HBM, DDR5, LPDDR5X ha seguido aumentando considerablemente. Para aprovechar las oportunidades del mercado, Micron ha adoptado un modelo de expansión de capacidad de doble vía: "construcción propia + adquisición". Por un lado, continúa impulsando los proyectos de construcción de la fábrica ID1 en Estados Unidos y la capacidad de empaquetado back-end de HBM en Singapur; por otro lado, acorta activamente los plazos de instalación de capacidad mediante la adquisición de instalaciones maduras, habiendo adquirido previamente de manera sucesiva dos fábricas de AUO (AU Optronics) en Tainan, la fábrica AUO Crystal en Taichung y la fábrica Glorytek en Taichung, para complementar la capacidad en etapas clave como prueba de oblea (Wafer Probe), metalización y TSV (Tecnología de Vías a Través del Silicio) para HBM. Además, Micron planea convertir tecnológicamente parte de las salas limpias de NAND Flash en Singapur en líneas de metalización de DRAM, optimizando aún más la estructura de capacidad.

Para PSMC, esta cooperación también tiene un significado estratégico de transformación. Actualmente, la capacidad DRAM existente de PSMC utiliza principalmente tecnologías de proceso relativamente maduras como 25nm y 38nm. Limitada por cuellos de botella tecnológicos, su línea de producción de memoria DDR4 solo puede centrarse en productos de pequeña capacidad, lo que restringe gradualmente su competitividad en el mercado de DRAM para consumidores. Tras firmar la carta de intención con Micron, PSMC recibirá un fortalecimiento tecnológico clave: se espera que obtenga formalmente la licencia del proceso 1Y nm de Micron dentro del próximo año y, dependiendo del progreso de la cooperación, podría incluso obtener posteriormente la licencia del proceso avanzado 1Z nm. Con este avance tecnológico, PSMC podrá aumentar significativamente la capacidad de almacenamiento de sus productos DDR4, consolidando no solo su competitividad de proceso en el mercado de Consumer DRAM (DRAM para consumidores), sino también expandiendo efectivamente su escala de producción en bits. Además, dado que el posicionamiento de sus productos se diferencia de la línea de productos avanzados de Micron, no generará competencia de mercado directa, logrando una complementariedad de las ventajas de ambas partes.

TrendForce enfatiza que la cooperación entre Micron y PSMC es, en esencia, un microcosmos de la tendencia de "optimización de capacidad + complementariedad tecnológica" en la industria global de la memoria. Con la penetración continua de aplicaciones posteriores como la IA y la computación en la nube, la diferenciación estructural de la demanda en el mercado DRAM será cada vez más evidente, y el espacio de mercado para productos de proceso avanzado y maduro se expandirá simultáneamente. Tras la finalización de esta adquisición, la capacidad de DRAM de alto rendimiento de Micron se complementará rápidamente, mientras que PSMC logrará una actualización industrial a través de licencias tecnológicas. Se espera que los efectos sinérgicos de ambas partes remodelen aún más la estructura de oferta de la industria global de DRAM, y la liberación de la capacidad de la fábrica de Tongluo en 2027 también proporcionará un apoyo importante para aliviar el desequilibrio global entre la oferta y la demanda de memoria de alto rendimiento.